和远气体公告，公司近日得回1项发明专利，称呼为“一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备安装过火工艺”。该专利收受高分子渗入膜、金属阳离子交换树脂、稀土金属化合物脱水与高压精馏的伙同，可将组分中CO2杂质脱除至0.1ppm以下、金属离子含量脱除至10ppt以下。该专利的得回不会对公司的出产缱绻和缱绻事迹产生首要影响，但故意于公司在电子特气规模的技能储备与技能擢升，对公司在电子特气规模进一步发展提供技能救助。

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